講演情報
[10p-S1-5]3次元フラッシュメモリ積層構造におけるSiO2変形たわみの抑制に向けた乾燥プロセスの研究
〇相田 峻佑1、鈴木 和貴1、佐藤 勝広1、酒井 崇嗣2、齋藤 俊介2 (1.キオクシア株式会社、2.サンディスク合同会社)
キーワード：
3次元フラッシュメモリ、たわみ、乾燥プロセス
3次元フラッシュメモリのWL Replaceプロセスにおいて課題となる、燐酸エッチング後の乾燥処理時に生じるSiO2の変形・たわみを抑制するため、乾燥条件A、B、Cを比較評価した。ラプラス圧を低減する条件Bでは、WL閉塞たわみの発生が最も抑制され、SSPIも最も低い値を示した。これにより、乾燥条件の最適化がstaircase領域の微細化に有効であることが示唆された。