セッション詳細

[10p-S1-1~20]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2026年9月10日(木) 13:30 〜 19:00
S1 (総合教育棟 S講義棟)

[10p-S1-2]多値抵抗変化型メモリにおける中間状態のデータリテンション劣化抑制書き込み手法

〇(M1)杉本 健1、平田 佑亮1、三澤 奈央子1、松井 千尋1、竹内 健1 (1.東大工)

[10p-S1-3]エンデュランス特性劣化抑制の混載フラッシュメモリ

〇平野 博茂1、栗山 寛明1、野間 淳史1 (1.タワーパートナーズセミコンダクター)

[10p-S1-4]水平チャネル型フラッシュメモリにおけるセル間干渉のコンパクトモデリング

〇石川 俊也1、野土 翔登1、刈谷 奈由太1、内藤 慎哉1、来栖 貴史1 (1.キオクシア株式会社)

[10p-S1-5]3次元フラッシュメモリ積層構造におけるSiO2変形たわみの抑制に向けた乾燥プロセスの研究

〇相田 峻佑1、鈴木 和貴1、佐藤 勝広1、酒井 崇嗣2、齋藤 俊介2 (1.キオクシア株式会社、2.サンディスク合同会社)

[10p-S1-6]インラインモニタ技術を用いたGAAFET製造プロセス改善

〇河野 伸1、八木下 淳史1、陳 家驄1、上嶋 和也1、郷矢 崇浩1、入沢 寿史1、松川 貴1、林 喜宏1 (1.産業技術総合研究所)

[10p-S1-7]ゲッター効果による真空雰囲気改善によるAl2O3(11-20)基板上におけるRu(10-10)薄膜の単結晶成長

〇今村 光佑1、冨岡 治樹1、常泉 聡史1、磯貝 直希1、中谷 友也2、大竹 充1 (1.横浜国大、2.NIMS)

[10p-S1-8]Moのサイズ効果予測に向けたDFTBパラメータセットの構築

〇田中 貴久1 (1.慶大理工)

[10p-S1-9]トポロジカル半金属Cu-Pd合金における電気抵抗率のサイズ依存性

〇(M1)櫛引 優宏1、金 美賢1、齊藤 雄太1,2 (1.東北大院工、2.東北大GXT)

[10p-S1-10]ZrO AR膜を用いた高感度BSIイメージセンサ

〇中村 成志1、西 嘉昭1、横山 敏史1、小田 真弘1、高橋 信義1 (1.TPSCo)

[10p-S1-11]シリコン掘り込み型反射防止構造

〇横山 敏史1、西 嘉昭1、野口 佳裕1、小田 真弘1 (1.TPSCo)

[10p-S1-12]ALDプロセスによるSiCN接合膜の検討

〇高橋 虎央弥1、荒賀 祐樹1、高橋 健司1、高木 秀樹1、菊地 克弥1 (1.産総研)

[10p-S1-13]GeOI Heterogeneous Integration and Device Fabrication Based on Wafer Bonding Technology

〇(D)Xiaofeng Duan1,2,3, Shaoteng Wu1,3, Mengnan Ke2, Junwei Luo1,3 (1.Inst. of Semiconductors, CAS, 2.Yokohama National Univ., 3.Univ. of CAS)

[10p-S1-14]ウエハ接合エッジ部における局所的強度低下の可視化と評価

〇(M1)日下部 瑠紀1、尾形 崚太1、石井 陽向1、村上 駿平1、佐野 麻理恵1、井上 史大1 (1.横浜国立大学)

[10p-S1-15]ウエハ直接接合の剥離挙動に基づく界面化学結合状態の推定

〇(M1)村上 駿平1、日下部 瑠紀1、尾形 崚太1、石井 陽向1、北川 颯人1、井上 史大1 (1.横浜国大)

[10p-S1-16]負熱膨張層を用いたTSVの熱応力抑制に関する研究

〇許 以情1、藍 若波1、木野 久志1 (1.九大院シス情)

[10p-S1-17]3D IC内の熱膨張係数差に起因した熱応力の抑制に向けた負熱膨張フィラーを有するアンダーフィルの検討

〇Lan Ruobo1、許 以情1、木野 久志1 (1.九大院シス情)

[10p-S1-18]AFM‑IRによるCu/Low‑k配線界面におけるナノスケール構造変化の解析

〇長坂 龍洋1、関 洋文1 (1.東レリサーチセンター)

[10p-S1-19]水素プラズマ処理を援用したSi基板上銅薄膜の低温接合

〇西村 篤人1、太田 雅斗1、古林 翼1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)

[10p-S1-20]量子コンピュータの3次元実装に向けたインジウム配線の作製と評価

〇坂本 裕樹1、加藤 勇志1、小山 聡太1、中村 拓貴1、木野 久志3、福島 誉史1,2、田中 徹1,2 (1.東北大院工、2.東北大院医工、3.九州大シス情)