[11a-A21-1~6] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー英語発表

[11a-A21-2] Modeling of conduction mechanisms for annealed contacts on heavily doped n-type GaN

〇Bryan Chong¹, Masahiro Hara¹, Mikito Nozaki¹, Takuma Kobayashi¹, Heiji Watanabe¹ (1.UOsaka)

キーワード：

Ohmic contact、Direct tunneling、Contact resistivity