セッション詳細
[11a-A21-1~6]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2026年9月11日(金) 11:00 〜 12:30
A21 (情報研究棟)
座長:堀切 文正(法政大)
[11a-A21-2]Modeling of conduction mechanisms for annealed contacts on heavily doped n-type GaN
〇Bryan Chong1, Masahiro Hara1, Mikito Nozaki1, Takuma Kobayashi1, Heiji Watanabe1 (1.UOsaka)
[11a-A21-6]GaNへのチャネリングイオン注入における深さ分布と電子的阻止能のイオン種依存性
〇南川 英輝1、横田 一広1、青木 正彦1、須山 篤志1 (1.株式会社イオンテクノセンター)
