セッション詳細
[11a-A21-1~6]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2026年9月11日(金) 11:00 〜 12:30
A21 (情報研究棟)
[11a-A21-1]金属/高濃度n型GaN界面におけるトンネル電流および接触抵抗率の解析
〇原 征大1、野崎 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
[11a-A21-2]Modeling of conduction mechanisms for annealed contacts on heavily doped n-type GaN
〇Bryan Chong1, Masahiro Hara1, Mikito Nozaki1, Takuma Kobayashi1, Heiji Watanabe1 (1.UOsaka)
[11a-A21-3]光ヘテロダイン光熱変位法を用いたGaNの転位分布評価
〇細越 裕太1、本田 善央2、福山 敦彦1 (1.宮崎大工、2.名古屋大工)
[11a-A21-4]低加速SEM-CLによるGaN貫通転位観察条件の最適化
〇朝比奈 俊輔1,2、作田 裕介1,2 (1.日本電子株式会社、2.東北大 高度マテリアル分析共創研)
[11a-A21-5]AlGaN/GaNヘテロ構造に対するAr原子ビーム照射の効果
〇(M2)凌 旭良1、岩本 晃1、重川 直輝1 (1.大阪公立大)
[11a-A21-6]GaNへのチャネリングイオン注入における深さ分布と電子的阻止能のイオン種依存性
〇南川 英輝1、横田 一広1、青木 正彦1、須山 篤志1 (1.株式会社イオンテクノセンター)
