[11a-A31-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

9:00 〜 9:15

[11a-A31-1] ⁷Be注入ダイヤモンド薄膜の電気的特性

〇三宅 泰斗¹、渡邊 幸志^2,1、奥野 広樹¹ (1.理研仁科センター、2.産総研)

キーワード：

ダイヤモンド、イオン注入、核種変換

本研究では、放射性同位体⁷Beの安定同位体7Liへの核種変換反応を利用して、⁷Liがドープされたダイヤモンドの製作を目的とする。安定同位体⁹Beによるコールドテストで実験条件を決定し、7Beのイオン注入を実施した。その後、⁷Beをイオン注入した試料について、放射線管理区域内で加熱処理と電極形成を行い、電気的特性の取得を試みた。本発表では、実験の概要と測定結果について報告する。