2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜

[11a-A31-1~13]6.2 カーボン系薄膜

2026年9月11日(金) 9:00 〜 12:30
A31 (情報研究棟)
9:00 〜 9:15

[11a-A31-1]7Be注入ダイヤモンド薄膜の電気的特性

〇三宅 泰斗1、渡邊 幸志2,1、奥野 広樹1 (1.理研仁科センター、2.産総研)
9:15 〜 9:30

[11a-A31-2]電子線照射したダイヤモンドのアルファ線誘起過渡電荷分光による欠陥準位評価

〇佐藤 真一郎1、曽根 雄二1、岩本 直也2、松本 翼3 (1.QST、2.香川高専、3.金沢大)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー英語発表

[11a-A31-3]Anisotropic Mechanical Dissipation Governed by Phonon–Defect Interactions in Single-Crystal Diamond

〇Zhaozong Zhang1, Guo Chen1, Wen Zhao1, Satoshi Koizumi1, Meiyong Liao1 (1.NIMS)
9:45 〜 10:00英語発表

[11a-A31-4]Electrical Readout of Single-Crystal Diamond MEMS Resonators for Infrared Sensing

〇(P)Guo Chen1, Zhaozong Zhang1, Satoshi Koizumi1, Meiyong Liao1 (1.NIMS)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[11a-A31-5]ナノダイヤモンド被膜の表面特性と上皮細胞付着性の関係評価

〇生山 也真登1、楢木野 宏1、御園 樹1、楼 厲寧1、A.Z. Ahmed1、吉田 智博2、神野 洋平3、坂本 安繁3、熱田 生3、鮎川 保則3、吉武 剛1 (1.九大院総理工、2.福岡県工技センター機電研、3.九大院歯)
10:15 〜 10:30

[11a-A31-6]銀-ホウ素ドープダイヤモンド複合膜からのサブバンドギャップ光電子放出における成膜条件の影響

〇宮崎 久生1、山口 侑真1、藤本 明1、木村 重哉1、大平 和哉1 (1.東芝総研)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[11a-A31-7]高量子収率の固体発光カーボンドットの合成

〇(M1)久光 優輝1、井上 拳1、鈴木 凌1、橘 勝1 (1.横浜市大院)
11:00 〜 11:15

[11a-A31-8]硫黄添加窒化炭素薄膜の物理特性の評価

〇櫻井 泰地1、笠原 大誠1、橋本 佳男1、浦上 法之1 (1.信州大工)
11:15 〜 11:30

[11a-A31-9]リン添加による層状窒化炭素膜の物理性質変化

〇笠原 大誠1、櫻井 泰地1、橋本 佳男1、浦上 法之1 (1.信州大工)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[11a-A31-10]非局在化したホウ素ドープアモルファスカーボンにおける電子状態評価

〇中島 統晴1、村岡 祐治2、大槻 太毅2、横谷 尚睦2、脇田 高徳3、小谷 佳範3、河合 敬宏3、大坪 喜之4 (1.岡山大学自然科学、2.岡山大基礎研、3.JASRI/NanoTerasu、4.QST/NanoTerasu)
11:45 〜 12:00

[11a-A31-11]先端半導体パターニングに用いられるアモルファスカーボン膜の構造と物性
―固体NMRから得られる知見―

〇亀井 利浩1 (1.産総研先端半導体RC)
12:00 〜 12:15

[11a-A31-12]先端半導体パターニングに用いられるアモルファスカーボン膜の構造と物性
―Ramanから得られる知見―

〇亀井 利浩1 (1.産総研先端半導体RC)
12:15 〜 12:30

[11a-A31-13]シリコンおよび窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン膜特性に及ぼす基板バイアス電圧の効果

〇竹村 凜太朗1、細川 彩萌1、伊東 翔太1、鈴木 裕史1、遠田 義晴1、小林 康之1、中澤 日出樹1 (1.弘前大院工)
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