[11a-B32-1~11] 6.4 薄膜新材料

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[11a-B32-1] Sn(II)ドーピングによるCuIの正孔濃度増大

〇浅井 健太郎¹、村田 秀信²、長尾 朋和³、猪俣 崇⁴、山田 直臣¹ (1.中部大院工、2.ファインセラミックスセンター、3.NBCメッシュテック、4.稀産金属)

キーワード：

CuI、エピタキシャル成長、ドーピング