2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

[11a-B32-1~11]6.4 薄膜新材料

2026年9月11日(金) 9:00 〜 12:00
B32 (工学部 B棟)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[11a-B32-1]Sn(II)ドーピングによるCuIの正孔濃度増大

〇浅井 健太郎1、村田 秀信2、長尾 朋和3、猪俣 崇4、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.ファインセラミックスセンター、3.NBCメッシュテック、4.稀産金属)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[11a-B32-2]ペロブスカイト型太陽電池の正孔輸送層に向けたCuI1-xBrx組成傾斜膜

〇岩瀬 輝哉1、村田 秀信2、長尾 朋和3、猪俣 崇4、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.ファインセラミックスセンター、3.NBCメッシュテック、4.稀産金属)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[11a-B32-3]Cu/Bi比を変えたCuBiI4薄膜のp型キャリアの生成起源

〇高橋 美麗1、小川 航輝1、村田 秀信2、簾 智仁3、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.ファインセラミックスセンター、3.東大院理)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[11a-B32-4]MA3Bi2I9配向薄膜のミスト化学気相成長における溶媒の効果

〇(M2)井上 裕貴1、岡 大地1、庄田 伊吹1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[11a-B32-5]新規層状オキシカルコゲナイド半導体薄膜を用いたSWIRフォトダイオードの作製と評価

〇吉川 桜良1、有馬 寛人1、光山 健太2、木村 秀一2、黒澤 昌志3、上田 茂典4、神谷 利夫1、片瀬 貴義1 (1.科学大、2.artience、3.名大、4.NIMS)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[11a-B32-6]縦型化学気相蒸着法によるエピタキシャルβ-In2S3薄膜の合成

〇田中 優歌1、柳瀨 隆1 (1.東邦大理)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[11a-B32-7]AgCrSe2薄膜における電流電圧特性のヒステリシス挙動

〇佐藤 晏人1、三原 輝大1、稲村 健臣1、塩貝 純一1,2、平井 孝昌3、内田 健一3,4、工藤 一貴1,2、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.NIMS、4.東大新領域)
11:00 〜 11:15

[11a-B32-8]Van der Waals強磁性体Cr3Te4における層間Crイオンの秩序化による価電子帯再構成

〇小林 正起1、遠藤 幹大2、瀧口 耕介1、市場 友宏3、本郷 研太3、谷保 芳孝1、中野 匡規4 (1.NTT物性研、2.東大工、3.JAIST、4.芝浦工大)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[11a-B32-9]ゼロ磁場トポロジカルホール効果を示す Cr3Te4 薄膜における 巨大な非線形応答の観測

〇山崎 大輔1、板橋 勇輝2、遠藤 幹大3、下起 敬史2、岩佐 義宏2、中野 匡規1 (1.芝浦工大工、2.理研創発、3.東大院工)
11:30 〜 11:45

[11a-B32-10]Cr₃Te₄薄膜のイオンゲートデバイスにおける電解液の影響検討

〇(B)成瀬 暖真1、三角 裕紀1、遠藤 幹大2、強 博文1、中野 匡規1 (1.芝浦工大工、2.東大院工)
11:45 〜 12:00

[11a-B32-11]MBEで作製したvdW薄膜へのPCL支援ドライ転写の適用と物性評価

〇遠藤 幹大1、松尾 芽来2、川上 泰樹2、板橋 勇輝3、岩佐 義宏3、中野 匡規2 (1.東大院工、2.芝浦工大工、3.理研CEMS)
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