講演情報

11:30 〜 11:45

[11a-B32-10]Cr₃Te₄薄膜のイオンゲートデバイスにおける電解液の影響検討

〇(B)成瀬暖真¹、三角裕紀¹、遠藤幹大²、強博文¹、中野匡規¹ (1.芝浦工大工、2.東大院工)

イオンゲート、ファンデルワールス磁性体

本講演では、Cr₃Te₄薄膜イオンゲートデバイスにおいて、電解液の種類がゲート応答および磁性相転移挙動に与える影響を検討する。異なる電解液を用いたデバイスを作製し、従来条件との比較結果を報告する。