[11a-B32-1~11] 6.4 薄膜新材料

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[11a-B32-5] 新規層状オキシカルコゲナイド半導体薄膜を用いたSWIRフォトダイオードの作製と評価

〇吉川 桜良¹、有馬 寛人¹、光山 健太²、木村 秀一²、黒澤 昌志³、上田 茂典⁴、神谷 利夫¹、片瀬 貴義¹ (1.科学大、2.artience、3.名大、4.NIMS)

キーワード：

薄膜成長、酸硫化物半導体、短波近赤外光センサ