講演情報
[11a-C214-4]分子性ドーピングを活用した高分子半導体PN接合の形成と整流ダイオードへの適用
〇(DC)金田 高廣1,2、刑部 永祥2、山下 侑2,3、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一2,3 (1.理研CEMS、2.東大院新領域、3.物材機構)
キーワード：
高分子半導体、分子性ドーピング、整流素子
有機半導体では効果的なドーピング手法の不足によりPN接合形成が困難であった。本研究ではイオン交換法を活用することで、溶液プロセスにより分子性ドーピングを施した高分子半導体のPN接合を形成するとともに、整流ダイオードを実現した。積層膜の光吸収および電流‐電圧特性から接合形成と整流動作を確認するなどし、有機デバイス設計における分子性ドーピングの活用の指針を示す。