講演情報
[11a-C309-11]SiSn，GeSn，SiGeのバンドギャップの原子配置依存性に関する理論計算
〇末岡 浩治1、別宮 響2、濱本 雄治1、野田 祐輔3,4 (1.岡山県立大情報工、2.岡山県立大院情報系工、3.九工大院情報工、4.九工大DS・AI研究センター)
キーワード：
IV族混晶半導体、バンドギャップ、第一原理計算
我々のグループでは，SiSn，GeSn，SiGe混晶半導体について，理論計算により安定な原子配置の探索を行っている．慣用単位胞を2×2×2倍したSi（Ge）の64原子モデルの置換位置に，Sn原子またはGe原子をn（= 1, 2, 3, 4）個導入すると組成は1.56 %（n = 1），3.12 %（n = 2），4.68 %（n = 3），6.24 %（n = 4）となり，独立な配置数は1個（n = 1），9個（n = 2），49個（n = 3），566個（n = 4）となる．今回，これらの組成について，バンドギャップの原子配置依存性に関する理論計算を行ったので，その結果を報告する．