[11a-C309-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[11a-C309-1~14]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2026年9月11日(金) 9:00 〜 12:45

C309 (工学部 C棟)

9:00 〜 9:15

[11a-C309-1]エピタキシャル成長したSi/SiGeナノドット/Si構造の帯電特性評価

〇(D)白鍾銀¹、今井友貴¹、山本裕司^2,1、牧原克典^1,2 (1.名大院工、2.IHP-Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik)

9:15 〜 9:30

[11a-C309-2]多層SiGeナノドットにおける配列構造が歪みおよび光学特性に及ぼす影響

〇伊藤佑太^1,2、Wen Wei-Chen³、山本裕司³、工藤大夢¹、小椋厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.IHP、4.明大MREL)

9:30 〜 9:45

[11a-C309-3]ラマンマッピング測定を用いたSi_1-xGe_x/Si_1-yGe_y (100)ヘテロ構造おける歪み分布評価

〇工藤大夢¹、伊藤佑太^1,2、山本裕司³、澤本直美⁴、小椋厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.IHP、4.明大MREL)

9:45 〜 10:00

[11a-C309-4]Si(110)基板上SiGe/Si多層膜のMBE成長と臨界膜厚評価

〇加藤惠太郎¹、萩原智大¹、澤野憲太郎¹、山田道洋¹、三谷祐一郎¹ (1.東京都市大)

10:00 〜 10:15

[11a-C309-5]NS向け(SiGe/Si)x3/Si(110)superlattice構造の臨界膜厚評価法検討

〇臼田宏治¹、伊波希宇^2,3、熊谷直人^3,4、入沢寿史^3,4、小椋厚志^1,2 (1.明治大学MREL、2.明治大学理工、3.産総研SFRC、4.最先端半導体技術センター)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[11a-C309-6]Si(110)基板上SiGe層表面に形成されるファセット構造のオフ条件依存性

〇伊波希宇^1,2、臼田宏治³、熊谷直人^1,4、入沢寿史^1,4、小椋厚志^2,3 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL、4.LSTC)

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[11a-C309-7]Si基板上Al–Ge合金の溶融・凝固により形成した組成傾斜SiGe層の面内均一性に及ぼすB₂O₃界面層導入の効果

〇檜垣碧位¹、勝部涼司¹、南山偉明²、ダムリンマルワン^2,3、宇佐美徳隆^1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミニウム、3.阪大院工、4.名大未来研、5.名大未来機構)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[11a-C309-8]熱酸化処理によるAl–Geペーストの印刷・焼成プロセスで作製したSiGe層の少数キャリア寿命増大可能性の検証

〇八木健太¹、勝部涼司¹、鈴木紹太²、南山偉明²、ダムリンマルワン^2,3、黒川康良^1,4、宇佐美徳隆^1,5,6 (1.名大院工、2.東洋アルミニウム、3.阪大院工、4.関西大院理工、5.名大未来機構、6.名大未来研)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[11a-C309-9]近赤外偏光透過顕微鏡と透過型電子顕微鏡観察に基づく傾斜組成SiGe膜中の転位識別手法の検討

〇(M2)岩田茉奈実¹、勝部涼司¹、鈴木紹太²、南山偉明²、ダムリンマルワン^2,3、宇佐美徳隆^1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミニウム、3.阪大院工、4.名大未来機構、5.名大未来研)

11:30 〜 11:45

[11a-C309-10]低温放射光X線回折によるバルクSiGeの原子配列に関する考察

〇横川凌^1,2,3、中埜彰俊⁴、荒井康智⁵、米永一郎⁶、萬條太駿⁷、筒井智嗣⁷、中村唯我⁷、小椋厚志^3,8 (1.広大RISE、2.広大院先進理工、3.明大MREL、4.名大院工、5.JAXA、6.東北大、7.JASRI、8.明大理工)

11:45 〜 12:00

[11a-C309-11]SiSn，GeSn，SiGeのバンドギャップの原子配置依存性に関する理論計算

〇末岡浩治¹、別宮響²、濱本雄治¹、野田祐輔^3,4 (1.岡山県立大情報工、2.岡山県立大院情報系工、3.九工大院情報工、4.九工大DS・AI研究センター)

12:00 〜 12:15

[11a-C309-12]Ge-on-insulator 上への歪みSiGe スピントロニクス構造の作製

〇大木健司¹、菊岡柊也²、綿引詩門¹、大日方初良^1,3,4、山本圭介⁵、山田道洋²、澤野憲太郎²、浜屋宏平^1,3,4 (1.阪大基礎工、2.都市大総研、3.阪大基礎工 CSRN、4.阪大 OTRIスピン、5.熊大REISI)

12:15 〜 12:30

[11a-C309-13]イオン注入法を用いた歪みSiGeスピン伝導層のキャリア濃度制御

〇井上創太¹、大木健司¹、大日方初良^1,2,3、加藤惠太郎⁴、菊岡柊也⁴、井上貴裕⁵、山田道洋⁴、澤野憲太郎⁴、山本圭介⁶、浜屋宏平^1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.都市大総研、5.都市大IRCNST、6.熊大REISI)

12:30 〜 12:45奨励賞エントリー

[11a-C309-14]Geスペーサー層を介した埋め込みSiGeチャネルへのスピン注入

〇大日方初良^1,2,3、田中俊輔¹、大木健司¹、菊岡柊也⁴、澤野憲太郎⁴、浜屋宏平^1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRI、4.都市大総研)

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