[11a-C309-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

12:30 〜 12:45奨励賞エントリー

[11a-C309-14] Geスペーサー層を介した埋め込みSiGeチャネルへのスピン注入

〇大日方 初良^1,2,3、田中 俊輔¹、大木 健司¹、菊岡 柊也⁴、澤野 憲太郎⁴、浜屋 宏平^1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRI、4.都市大総研)

キーワード：

シリコンゲルマニウム、スピントロニクス