講演情報
[11a-C309-2]多層SiGeナノドットにおける配列構造が歪みおよび光学特性に及ぼす影響
〇伊藤 佑太1,2、Wen Wei-Chen3、山本 裕司3、工藤 大夢1、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.IHP、4.明大MREL)
キーワード：
ナノドット、多層配列、歪み
Siスペーサ層に埋め込まれた多層SiGeナノドットを対象に、staggered、bi-layered staggered、およびdot-on-dot配列構造と成長温度が歪みおよび発光特性に及ぼす影響を系統的に比較した。ラマン分光測定の結果、配列構造および成長温度に依存したラマンシフトと線幅の変化が確認され、歪み状態の違いが示唆された。さらにPL測定では発光波長および発光線幅の変化が観測され、配列構造が歪み状態を介して光学特性に影響を及ぼすことが明らかとなった。