講演情報
[11a-E206-2]直径50mm Mg2Si単結晶のキャリア濃度分布評価
〇鉄 幸多朗1、大河原 穣1、島野 航輔1、坂根 駿也1、Xin Liu2、宇佐美 徳隆2、鵜殿 治彦1 (1.茨城大、2.名古屋大)
キーワード：
Mg2Si、バルク単結晶
Mg₂Siは環境調和型半導体として注目されており、赤外イメージセンサや熱光発電セルへの応用に向けて大口径基板の開発が進められている。本研究では、垂直ブリッジマン法により育成した直径50 mmのMg₂Si単結晶について、四探針法を用いてキャリア濃度の面内分布を評価した。その結果、キャリア濃度は10¹⁷ cm⁻³台で、変動係数は約21%と比較的良好な均一性を示した。一方、キャリア濃度はウェハ中心から径方向に向かって増加する傾向が確認された。この要因として、成長時の固液界面形状や坩堝由来のB汚染が考えられる。得られた知見は、大口径Mg₂Si基板の品質向上およびデバイスプロセス確立に有用である。