2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-E206-1~11]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2026年9月11日(金) 9:00 〜 12:00
E206 (総合教育棟 E棟)
9:00 〜 9:15

[11a-E206-1]顕微FTIRマッピングによるMg2Si結晶中のキャリア濃度分布評価

大河原 穣1、鉄 幸多朗1、島野 航輔1、坂根 駿也1、〇鵜殿 治彦1 (1.茨城大学)
9:15 〜 9:30

[11a-E206-2]直径50mm Mg2Si単結晶のキャリア濃度分布評価

〇鉄 幸多朗1、大河原 穣1、島野 航輔1、坂根 駿也1、Xin Liu2、宇佐美 徳隆2、鵜殿 治彦1 (1.茨城大、2.名古屋大)
9:30 〜 9:45

[11a-E206-3]四探針法によるAg添加Mg2Si単結晶の面内抵抗率分布と幾何補正の影響

〇島野 航輔1、大河原 穣1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
9:45 〜 10:00

[11a-E206-4]バルクMg2Siのフォトルミネッセンス

〇牛頭 信一郎1、島野 航輔2、坂根 駿也2、鵜殿 治彦2 (1.産総研、2.茨城大)
10:00 〜 10:15

[11a-E206-5]Ag添加Mg2Si薄膜の相形成に及ぼす熱処理温度の影響

〇増田 海都1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
10:15 〜 10:30

[11a-E206-6]Mg2(Si,Ge,Sn)四元混晶薄膜の低温合成とフレキシブル熱電応用

〇(M2)中島 丈範1、石山 隆光2、前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.産総研)
10:45 〜 11:00

[11a-E206-7]エピタキシャルMg3Bi2薄膜の大気下分解メカニズムの解析

〇坂根 駿也1、岩下 智洋1、鮎川 瞭仁1、栗山 武琉1、根城 虹希1、井上 大1、阿部 仁1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
11:00 〜 11:15英語発表

[11a-E206-8]Lattice Dynamics of Thermoelectric Ba2AgSi3 Studied by Raman Spectroscopy and First-Principles Calculations

〇Thao Dieu Nguyen1, Kimimaru Kajihara1, Taiga Shinohara1, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Hikaru Takeshima2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Tsukuba Univ., 2.Tosoh Corp.)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[11a-E206-9]MBE法を用いたBa-Ag-Cu-Si薄膜の合成と特性評価

〇(M1)篠原 大河1、梶原 君円1、竹島 暉2、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)
11:30 〜 11:45

[11a-E206-10]SrSi2の熱電特性に対するLa置換効果

〇今井 基晴1 (1.都立大理)
11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[11a-E206-11]Mg2Siバッファ層を用いたBiSb薄膜のエピタキシャル成長

〇栗山 武琉1、根城 虹希1、川添 敬介1、岩下 智洋1、鈴木 暢尚1、伊藤 駿1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大)
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