セッション詳細
[11a-E206-1~11]13.2 探索的材料物性・基礎物性
2026年9月11日(金) 9:00 〜 12:00
E206 (総合教育棟 E棟)
座長:末益 崇(筑波大)、 寺井 慶和(九工大)
赤外受光、熱電、結晶成長、光学・電気物性
[11a-E206-2]直径50mm Mg2Si単結晶のキャリア濃度分布評価
〇鉄 幸多朗1、大河原 穣1、島野 航輔1、坂根 駿也1、Xin Liu2、宇佐美 徳隆2、鵜殿 治彦1 (1.茨城大、2.名古屋大)
[11a-E206-6]Mg2(Si,Ge,Sn)四元混晶薄膜の低温合成とフレキシブル熱電応用
〇(M2)中島 丈範1、石山 隆光2、前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.産総研)
[11a-E206-7]エピタキシャルMg3Bi2薄膜の大気下分解メカニズムの解析
〇坂根 駿也1、岩下 智洋1、鮎川 瞭仁1、栗山 武琉1、根城 虹希1、井上 大1、阿部 仁1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
[11a-E206-8]Lattice Dynamics of Thermoelectric Ba2AgSi3 Studied by Raman Spectroscopy and First-Principles Calculations
〇Thao Dieu Nguyen1, Kimimaru Kajihara1, Taiga Shinohara1, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Hikaru Takeshima2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Tsukuba Univ., 2.Tosoh Corp.)
[11a-E206-9]MBE法を用いたBa-Ag-Cu-Si薄膜の合成と特性評価
〇(M1)篠原 大河1、梶原 君円1、竹島 暉2、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)
[11a-E206-11]Mg2Siバッファ層を用いたBiSb薄膜のエピタキシャル成長
〇栗山 武琉1、根城 虹希1、川添 敬介1、岩下 智洋1、鈴木 暢尚1、伊藤 駿1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大)
