[11a-E206-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:45 〜 10:00

[11a-E206-4] バルクMg₂Siのフォトルミネッセンス

〇牛頭 信一郎¹、島野 航輔²、坂根 駿也²、鵜殿 治彦² (1.産総研、2.茨城大)

キーワード：

Mg2Si、フォトルミネッセンス

Mg₂Si結晶は立方晶のシリサイド半導体であり、X点に伝導帯の底をもつ間接遷移型のバンド構造を有する。本研究ではバルクMg₂SiからのPL測定を試み、実際に観測に成功したので報告する。