[11a-E207-1~7] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[11a-E207-2] 低温下GCIB照射によるエッチングの最適条件探索

〇北中 晴也¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県大工)

キーワード：

ガスクラスターイオンビーム、エッチング

半導体製造プロセスにおける高アスペクト比構造の高精度加工に向け、極低温下でのガスクラスターイオンビーム（GCIB）を用いた反応性エッチングの最適化を検討する。本発表では、基板に吸着させるSF₆ガスの入射量とGCIBの照射量から導かれる「フラックス比」に着目する。極低温環境下において、エッチング特性を最大化するための最適なパラメータ条件について報告する。