[11a-E207-1~7] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

10:30 〜 10:45

[11a-E207-3] Ar-GCIB援用照射によって低温で形成したDLC膜の特性

〇(M1)山本 赳瑠¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県大工)

キーワード：

ガスクラスターイオンビーム、DLC

本研究では、C₆₀を炭素源とし、Ar-GCIB援用照射によるDLC膜の低温成膜特性を調査した。基板温度を室温から-15℃まで変化させてSi基板上にDLC膜を形成し、ラマン分光法およびX線反射率測定により評価した。C₆₀/Ar比の低下、すなわちAr-GCIBの増加に伴い膜密度が増加し、C₆₀/Ar比が16の条件で膜密度が最大となった。基板冷却は高密度DLC膜形成に有効であることが示唆された。