[11a-E215-1~7] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

9:45 〜 10:00

[11a-E215-4] 超高真空中におけるHf吸着Si(111)表面上の準安定サイト近傍での一酸化窒素の吸着過程

〇垣内 拓大¹、高城 陽菜¹、大浦 吉乃¹、津田 泰孝²、吉越 章隆² (1.愛媛大学理学部、2.原子力研究開発機構)

キーワード：

ハフニウム酸窒化物、X線光電子分光法、超音速分子ビーム

金属ハフニウム（Hf）が吸着したシリコン（Si）(111)表面と一酸化窒素分子（NO）ビームを反応させることで、二酸化ハフニウム（HfO₂）とSi半導体基板の急峻かつ化学的に安定な酸窒化界面作製を試みた。初期吸着させる金属Hfの量を変えることで、界面の酸窒化膜厚に大きな違いが生じることが分かった。これは、１層を切った低被服率の時にHfの準安定な吸着サイト近傍でのみNO吸着が進行するためである。