[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:45 〜 11:00

[11a-E301-7] イルメナイト型構造における広ギャップ半導体・誘電体材料の探索と支配因子の解明

〇田中 仁瓶¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義^1,2、細野 秀雄¹、神谷 利夫¹ (1.科学大元素、2.科学大フロ研)

キーワード：

半導体、ワイドギャップ、第一原理計算

第一原理計算と機械学習を用い、イルメナイト型構造における半導体および誘電体物性の網羅的データベースを構築し、材料探索を行った。その結果、YやHfを含む広ギャップ半導体候補や、強誘電性が期待される窒化物候補の発見に成功した。さらに機械学習により、誘電率の支配因子としてイオン電荷積と結合長歪みを特定し、特徴量空間上での高誘電率組成の可視化を達成した。