2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-E301-1~11]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月11日(金) 9:00 〜 12:00
E301 (総合教育棟 E棟)
9:00 〜 9:15

[11a-E301-1]ミスト反応場による(InxGa1-x)2O3準安定相の熱力学的安定域外形成

〇川原村 敏幸1,2、Hassan Sohaib1、Mondal Abhay Kumar1、Liu Kun1、Wai Htet Su1 (1.高知工大院工学研究科、2.高知工大総研)
9:15 〜 9:30

[11a-E301-2]CdTe/SnO2ヘテロ接合形成に向けたスピンコート法によるSnO2薄膜の成膜条件の検討

〇福田 陸人1、石黒 颯佑1、ニラウラ マダン1 (1.名工大工)
9:30 〜 9:45

[11a-E301-3]ミストCVD法によるSiO2/Si 基板上In2O3薄膜の低温成膜

〇(M2)飯塚 太郎1、石川 諒1、山本 龍1、石川 治樹1、飯田 隆真1、小川 広太郎1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)
9:45 〜 10:00

[11a-E301-4]ミストCVD法による, 高品質Cu2O薄膜作製に向けた成膜条件の検討

〇(M2C)大橋 亮介1,2、渡邉 千晶1、吉田 龍馬1、水本 圭1,2、ヘテット ス ワイ1、ソハイブ ハサン1、川原村 敏幸1,2,3 (1.高知工科大、2.院工学研究科、3.総合研究所)
10:00 〜 10:15

[11a-E301-5]ミストCVD法で作製した銀薄膜の熱処理条件と局在表面プラズモン共鳴波長との関係

〇水本 圭2、大橋 亮介2、渡邉 千晶1、吉田 龍馬1、Su Htet1、Hassan Sohaib1、川原村 敏幸1,2,3 (1.高知工大 シス工、2.院工学研究科、3.総研)
10:15 〜 10:30

[11a-E301-6]Low-k絶縁膜を用いたRF整流用MSIMダイオードの試作と特性解析

〇矢崎 結也1、相川 慎也1、石上 柊佑1、松藤 由磨1 (1.工学院大工)
10:45 〜 11:00

[11a-E301-7]イルメナイト型構造における広ギャップ半導体・誘電体材料の探索と支配因子の解明

〇田中 仁瓶1、井手 啓介1、片瀬 貴義1,2、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
11:00 〜 11:15

[11a-E301-8]パルスレーザー堆積法による非平衡相In4Sn3O12のエピタキシャル薄膜成長と半導体特性

〇坂主 東磨1、鈴木 朝也1、井手 啓介1、片瀬 貴義1,2、平松 秀典1,2、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
11:15 〜 11:30英語発表

[11a-E301-9]A thermodynamic approach for oxygen vacancy elimination in oxide semiconductors

〇SiMeng Chen1, Hirofumi Nishida1, Takuya Hoshii1, Kazuo Tsutsui2, Hitoshi Wakabayashi2, Kuniyuki Kakushima1 (1.Inst. Science Tokyo School of Eng., 2.Inst. Science Tokyo IIR)
11:30 〜 11:45

[11a-E301-10]XPS O1sピークの再解釈：酸化物半導体における酸素欠損評価の再考

〇山元 隆志1、坂田 智裕1、小川 賢吾1、小川 慎吾1、藤山 紀之1、浦岡 行治2、髙橋 崇典2 (1.東レリサーチセンター、2.奈良先端科学技術大)
11:45 〜 12:00

[11a-E301-11]TDSと元素分析を組み合わせたIGZO薄膜中軽元素脱離挙動の定量評価

〇小川 賢吾1、北村 智子1、山元 隆志1、浦岡 行治2、髙橋 崇典2 (1.東レリサーチセンター、2.奈良先端科学技術大)
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