[11a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30

[11a-N101-9] 格子整合Al_xIn_1–xN犠牲層を用いたサファイア基板上GaN MEMS共振子作製と高Q動作

〇井村 将隆¹、廣戸 孝信¹、大島 孝仁¹、間野 高明¹、Zhao Wen¹、Liao Meiyong¹、糸数 雄吏²、定 昌史³、森 建紀⁴、Zhang Ya⁴ (1.NIMS、2.BeamTech.、3.理研、4.農工大)

キーワード：

GaN-MEMS共振子、AlInN犠牲層、カンチレバー共振子

GaNは高い機械的強度と耐環境性を有し、MEMS共振子材料として有望である。本研究では、MOVPE法により約500 nm厚の格子整合Al_xIn_1–xN犠牲層を有するGaN/Al_xIn_1–xN/GaNヘテロ構造を作製し、選択エッチングによりサファイア基板上GaN MEMS共振子を形成した。XRD-RSMおよびTEM観察により高品質積層構造を確認し、作製したGaNカンチレバーではQ値約26,600の高Q動作を実証した。本講演では、結晶品質、作製プロセス、および共振特性について報告する。