セッション詳細
[11a-N101-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:30
N101 (総合教育棟 N棟)
[11a-N101-1]赤色GaInN系量子殻の多重量子井戸成長のための成長条件に関する検討
〇(M1)鈴木 ひまり1、堀田 陽生1、高橋 拓也1、山田 航己1、澤崎 晴喜1、手島 弘喜1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工)
[11a-N101-2]GaN系量子殻デバイスの形状が電流リークに与える影響
〇山田 航己1、手島 弘喜1、高橋 拓也1、澤崎 晴喜1、堀田 陽生1、鈴木 ひまり1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、飯浜 準也3、楠瀬 好郎3、召田 雅実3、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工、2.E&E Evolution(株)、3.東ソー(株))
[11a-N101-3]トンネル接合導入によるGaN:EuナノワイヤLEDの低電圧化
〇館林 潤1,2、羽田 頼生1、市川 修平1、藤原 康文3,4 (1.阪大院工、2.阪大QIQB、3.阪大産研、4.立命館大)
[11a-N101-4]積層型GaInN系モノリシックμLEDアレイにおけるピクセル全面発光構造の提案と評価
〇福島 瑚子1、竹谷 圭右1、塚本 拓実1、高木 一哉1、高橋 廉1、末広 好伸1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大)
[11a-N101-5]電極高さ同一構造モノリシックµLEDアレイの実装および電気特性評価
〇塚本 拓実1、福島 瑚子1、竹谷 圭右1、高木 一哉1、高橋 廉1、末広 好伸1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
[11a-N101-6]放熱特性向上に向けたワイド中空構造によるフレキシブルマイクロLEDフィルムの作製
〇黒木 瑠莉1、西川 淳2、Loesing Alexander2、関口 寛人1 (1.名城大、2.ALLOS)
[11a-N101-7]中性子イメージングに向けた自立GaN基板上縦型BGaN中性子検出器の 作製およびMulti-pixel 構造デバイスの試作
〇竹中 壮太郎1、工藤 涼兵1、前田 百楽1、小久保 瑛斗2、豊田 耕平3、若林 源一郎4、小田 達郎5、日野 正裕6、本田 善央7、天野 浩7、井上 翼1、青木 徹3,8、中野 貴之1,8 (1.静大院工、2.名大院工、3.静大光医工、4.近大原研、5.東大物性研、6.京大複合研、7.名大IMaSS、8.静大電研)
[11a-N101-8]EGOS基板を利用したmicroLEDのSapphire-Silicon間 Au-Auマイクロバンプ新規実装技術
〇古茂田 晶子1、文 秀榮1、林 雄一郎1、川口 佳伸1、川村 啓介1、神川 剛1 (1.京セラ株式会社)
[11a-N101-9]格子整合AlxIn1–xN犠牲層を用いたサファイア基板上GaN MEMS共振子作製と高Q動作
〇井村 将隆1、廣戸 孝信1、大島 孝仁1、間野 高明1、Zhao Wen1、Liao Meiyong1、糸数 雄吏2、定 昌史3、森 建紀4、Zhang Ya4 (1.NIMS、2.BeamTech.、3.理研、4.農工大)
