[11a-N102-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30

[11a-N102-9] 成長温度の異なる高Al組成AlGaNのバンドギャップ内準位解析

〇鈴木 武志¹、小幡 駿介¹、竹久 哲平¹、今井 大地¹、竹内 哲也¹ (1.名城大院理工)

キーワード：

半導体