セッション詳細

[11a-N102-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:30
N102 (総合教育棟 N棟)

[11a-N102-2]超・高エネルギー分解深紫外磁場下フォトルミネッセンス分光による超ワイドギャップ半導体AlNの励起子微細構造の解明

〇池島 拓海1、船戸 充1、石井 良太1 (1.京大院工)

[11a-N102-3]PL 測定による低温成長AlGaN 系UV-B 半導体レーザー活性層の発光特性評価

〇小林 倫太朗1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

[11a-N102-4]ハイドライド気相成長法による高純度GaN膜における極低温PLスペクトルと反射スペクトル測定

〇山形 梨里花1、山口 敦史1、金木 奨太2、藤倉 序章2 (1.金沢工大、2.住友化学)

[11a-N102-5]高濃度SiドープGaNの光熱偏向分光スペクトル形状に関する考察

〇(M1)藤沢 直弥1、廣瀬 礼也1、長田 和樹1、今井 大地1、竹内 哲也1 (1.名城大院理工)

[11a-N102-6]p-GaN上GaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価

〇(M2)廣瀬 礼也1、近藤 泉樹1、長田 和樹1、辻 雄大1、今井 大地1、竹内 哲也1 (1.名城大院理工)

[11a-N102-7]高濃度MgドープGaNの深い準位に対する活性化アニールの影響

〇(M1)辻 雄大1、近藤 泉樹1、廣瀬 礼也1、長田 和樹1、今井 大地1、竹内 哲也1 (1.名城大院理工)

[11a-N102-8]AlInN/GaN多重積層構造を利用した膜厚40nmのAlInN混晶における
バンドギャップ内光吸収過程の評価

〇(M2)福島 美希也1、西畑 陽貴1、野田 幸樹1、今井 大地1、竹内 哲也1 (1.名城大院理工)

[11a-N102-9]成長温度の異なる高Al組成AlGaNのバンドギャップ内準位解析

〇鈴木 武志1、小幡 駿介1、竹久 哲平1、今井 大地1、竹内 哲也1 (1.名城大院理工)