[11a-N302-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

9:15 〜 9:30

[11a-N302-2] 水熱合成法による歪みを導入したKTaO₃エピタキシャル薄膜の作製と評価

〇法月 京太¹、胡 雨弦¹、中畑 美紀¹、影山 壮太郎¹、古賀 彩月¹、江原 祥隆²、増田 達也³、森分 博紀³、岡本 一輝¹、舟窪 浩¹ (1.科学大、2.防衛大、3.ファインセラミックスセンター)

キーワード：

強誘電体、薄膜、結晶

量子常誘電体として知られるKTaO₃は歪みを導入すると、室温で強誘電性が誘起されることが理論的に予測されている。しかし従来の気相法ではカリウム元素の揮発により高品質な薄膜の作製が困難であり、歪みの導入による強誘電性誘起の実験的な報告は限定的である。本研究では低温プロセスである水熱合成法を用いてKTaO₃エピタキシャル薄膜を作製し、歪みの導入を試みた。得られた膜についての評価を行ったので報告する。