[11a-N302-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[11a-N302-9] 強誘電体Ce-Mn共置換ZnO(ZCM)エピタキシャル薄膜の電気的特性

〇(M2)大磯 裕也¹、井上 颯太¹、請関 優¹、河野 駿平²、大塚 信幸²、岡本 一輝²、舟窪 浩²、吉村 武^1,3 (1.大阪公立大、2.東京科学大、3.豊橋技科大)

キーワード：

強誘電体、ウルツ鉱構造、酸化亜鉛

ウルツ鉱構造の強誘電性は2019年のFichtnerらの報告以降、様々な材料で見出されてきた。ZnOでもMg置換やCe-Mn共置換による発現が報告され、近年はそのスイッチング特性の解明が盛んに研究されている。我々はSi基板上にZCMエピタキシャル薄膜を作製し、1.5MV/cm程度の低い抗電界を報告してきた。本発表ではこの材料におけるスイッチング特性等について詳しい解析を行った。