[11a-N304-1~11] 17.2 基礎物性

9:30 〜 9:45

[11a-N304-3] α-Sb₂O₃ 犠牲層を用いたレジスト非接触デバイス作製プロセス

〇金橋 魁利¹、西村 知紀¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹ (1.東大マテ工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

二次元材料、α-Sb2O3