[11a-N304-1~11] 17.2 基礎物性

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[11a-N304-7] TMDC多層物質におけるIsing–Rashbaスピン軌道状態の理論解析

〇(DC)亀田 智明^1,2、Adhikary Souren²、若林 克法^2,1 (1.関学大理工、2.物材機構)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、スピン軌道相互作用

TMDCは強いスピン軌道相互作用と谷自由度を有し、スピントロニクス・バレートロニクスへの応用が期待される。本研究では、TMDC系多層材料におけるK点のIsing型SOCとΓ点のRashba型SOCに着目する。積層構造によりK–Γバンド端近接性を制御し、化学ポテンシャル変化を通じて両SOC状態の寄与を変調する可能性を理論的に検討する。