[11a-PA6-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PA6-12] Migration-Enhanced Epitaxy 法導入によるInGaN系ナノコラム均一性および再現性向上への取り組み

〇小口 眞大¹、富樫 理恵¹、岸野 克巳¹ (1.上智大理工)

キーワード：

InGaN