2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(ポスター講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PA6-1~23]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月11日(金) 11:00 〜 12:30
PA6 (第1体育館)
英語発表

[11a-PA6-1]Investigation of Nitrogen Plasma Irradiation Effect on GaN Growth
on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE Technique

〇(P)Earul Islam1, Gentatsuro Hata2, Trang Nakamoto3, Takashi Fujii1,4, Ryuichi Sugie2, Tsutomu Araki2 (1.Ritsumeikan Uni., ROST, 2.Ritsumeikan Uni., Col. of Sci. & Eng., 3.Ritsumeikan Uni., R-GIRO, 4.Fukuda Crystal Lab.)

[11a-PA6-2]プラズマLPE法によるGaN層の成長（VI）

〇(M1)加藤 直人1、川井 賢士1、廣瀬 大輝1、松村 風翼1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[11a-PA6-3]MOVPE法による低抵抗な歪系ノンドープAlN/GaN on AlNの実現

〇吉川 陽1、張 梓懿1、久志本 真希2、本田 善央2、天野 浩2 (1.ULTEC株式会社、2.名古屋大学)

[11a-PA6-4]プラズマLPE法によるInN層の成長（I）

〇(M1)高橋 元1、山城 稜太1、松村 風翼1、廣瀬 大輝1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[11a-PA6-5]スパッタリングGaNターゲットを用いた薄膜の構造・極性制御と評価

〇常盤 美怜1、三崎 日出彦1、上岡 義弘1、松村 賢2、召田 雅実1 (1.東ソー(株)、2.(株)東ソー分析センター)

[11a-PA6-6]プラズマLPE法によるInN層の成長（II）

〇(M1)川井 賢士1、北村 元人1、松村 風翼1、廣瀬 大輝1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[11a-PA6-7]InGaN系光陽極における光水分解反応過程

〇熊倉 一英1、山下 雄大2、平間 一行2、谷保 芳孝2、佐藤 威友1 (1.北大量集セ、2.NTT物性研)

[11a-PA6-8]プラズマLPE法によるInN層の成長（Ⅲ）

〇(M1)北村 元人1、高橋 元1、松村 風翼1、廣瀬 大輝1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[11a-PA6-9]誘電体薄膜と紫外レーザー照射によるInGaN/GaN量子井戸の発光増強メカニズムの検討

〇廣本 圭吾1、上田 直毅1、松山 哲也1、村井 俊介1、和田 健司2、船戸 充3、川上 養一3、岡本 晃一1 (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.京大院工)

[11a-PA6-10]プラズマLPE法によるInN層の成長（Ⅳ）

〇(M1)山城 稜太1、加藤 直人1、廣瀬 大輝1、松村 風翼1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[11a-PA6-11]裏面DBR層を備えたGaInN系光電変換デバイスの性能向上

〇野中 智章1、永井 真夏1、長谷川 準1、山口 慶太郎1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)

[11a-PA6-12]Migration-Enhanced Epitaxy 法導入によるInGaN系ナノコラム均一性および再現性向上への取り組み

〇小口 眞大1、富樫 理恵1、岸野 克巳1 (1.上智大理工)

[11a-PA6-13]ケルビンプローブ原子間力顕微鏡によるGaN薄膜の局所表面電位評価

〇越後 晴仁1、藤塚 厳1、岡村 俊生1、山田 啓文2、山本 伸一1、宮戸 祐治1 (1.龍谷大先端理工、2.龍谷大 科技研センター)

[11a-PA6-14]ScN/r-サファイアヘテロ構造の結晶方位と微構造

〇大垣 武1、坂口 勲1、大橋 直樹1 (1.NIMS)

[11a-PA6-15]ScAlMgO4基板上MBE-GaN層を用いたMOCVD-GaN成長に関する研究

〇秦 玄達郎1、川端 重温1、Islam Md. Earul1、藤井 高志1,2、中本 トラン1、福田 承生2、恩田 正一3、杉江 隆一1、荒木 努1 (1.立命館大、2.㈱福田結晶技術研、3.合同会社GaNVaL)

[11a-PA6-16]ホウ素と塩素ガスから生成したBCl3を原料とする層状BNのCVD

〇青山 涼太1、平岡 晃輔1、青池 琉希1、太田 颯真1、中野 颯斗1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総研、2.静岡大光医工、3.静岡大電研)

[11a-PA6-17]減圧CVDにおける層状BNの多形評価（2）

〇平岡 晃輔1、青山 涼太1、竹村 晃1、中野 颯斗1、小南 裕子1、嶋 紘平4、秩父 重英4、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総研、2.静岡大光医工、3.静岡大電研、4.東北大多元研)

[11a-PA6-18]ラマン散乱分光法による半極性(11-22)AlNの異方ひずみ評価

〇馬 ベイ1,2、大矢 健世2、赤池 良太2、石谷 義博1、三宅 秀人2 (1.千葉大工、2.三重大工)

[11a-PA6-19]点欠陥を含むScAlN混晶の構造安定性および極性反転に関する理論解析

〇松本 俊輔1、秋山 亨1,2、河村 貴宏1,2 (1.三重大院工、2.三重大学ICSDF)

[11a-PA6-20]N極性AlN(0001)表面におけるステップ形成エネルギーの評価

〇田原 大樹1、秋山 亨1,2、河村 貴宏1,2 (1.三重大院工、2.三重大ICSDF)

[11a-PA6-21]高温アニールECRスパッタ-AlNバッファ層とECRスパッタ-GaN薄膜の表面形状と結晶性の評価

〇(M2)千葉 楓太1、菅 洋志1、鳥居 博典2 (1.千葉工大、2.JSWアフティ)

[11a-PA6-22]マイクロLEDプローブの順方向電圧を用いた脳内温度モニタリング

〇花井 丈弥1、西川 敦2、Loesing Alexander2、関口 寛人1 (1.名城大、2.ALLOS)

[11a-PA6-23]GaNにおける多原子空孔の安定性に関する理論解析

〇(M1)村上 雄基1、秋山 亨1,2、河村 貴宏1,2、上殿 明良3、秩父 重英4、白石 賢二5、押山 淳5 (1.三重大院工、2.三重大ICSDF、3.筑波大数物、4.東北大多元研、5.東北大CIES)
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