講演情報
[11a-PA6-13]ケルビンプローブ原子間力顕微鏡によるGaN薄膜の局所表面電位評価
〇越後 晴仁1、藤塚 厳1、岡村 俊生1、山田 啓文2、山本 伸一1、宮戸 祐治1 (1.龍谷大先端理工、2.龍谷大 科技研センター)
キーワード：
窒化ガリウム、ケルビンプローブ原子間力顕微鏡、スパッタリング
低コストな発光デバイスへの応用を目指し、スパッタ成膜GaN薄膜の研究を行っている。Si基板上にRFスパッタで成膜し、アニール処理を施してGaN薄膜を得た。このスパッタ成膜GaN薄膜の膜質向上に向けて、成膜条件の異なる薄膜に対し、局所表面電位を周波数変調型ケルビンプローブ原子間力顕微鏡(FM-KFM)によって真空環境下で評価した。Siドープ薄膜をFM-KFM測定した結果の一例では、基準電位用のPt薄膜領域に比べてGaN薄膜の電位が約0.05V高く、仕事関数がPtよりも低いことが示された。また、薄膜内の欠陥に起因すると考えられる局所的な電位のばらつきも確認された。本発表では、異なるドーパント種やアニール温度条件の試料を用いた比較・考察結果について報告する。