講演情報
[11a-PA6-15]ScAlMgO4基板上MBE-GaN層を用いたMOCVD-GaN成長に関する研究
〇秦 玄達郎1、川端 重温1、Islam Md. Earul1、藤井 高志1,2、中本 トラン1、福田 承生2、恩田 正一3、杉江 隆一1、荒木 努1 (1.立命館大、2.㈱福田結晶技術研、3.合同会社GaNVaL)
キーワード：
半導体、SAM、GaN
ScAlMgO4（SAM）基板上MBE-GaNテンプレートを用いたMOCVD-GaN成長を検討した。MOCVD成長後、GaN膜の剥離が発生し、その状態はMBE-GaNテンプレートの結晶性に依存することを確認した。また、MOCVD成長前の高温熱処理による影響を評価した結果、MBE-GaN表面でのクラックや剥離は認められなかった。当日はTEM観察結果を含め、剥離機構について報告する。