[11a-PA6-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PA6-9] 誘電体薄膜と紫外レーザー照射によるInGaN/GaN量子井戸の発光増強メカニズムの検討

〇廣本 圭吾¹、上田 直毅¹、松山 哲也¹、村井 俊介¹、和田 健司²、船戸 充³、川上 養一³、岡本 晃一¹ (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.京大院工)

キーワード：

高効率発光、誘電体、レーザー