講演情報
[11a-PB1-17]GaN Deepトレンチ形成のための高選択比MgOマスクの検討
太田 博1、西村 智明1、三島 友義1、大里 啓孝2、小野村 正明2、津谷 大樹2、〇堀切 文正1 (1.法政大、2.物質・材料研究機構)
キーワード：
窒化ガリウム、ドライエッチング、マスク材料
トレンチMOSFETやGaN-on-GaN HEMTのVia Hole形成などの用途向けに、高アスペクト比のGaN Deepトレンチの作製に対する需要が高まっている。深いトレンチ構造を作製するには、GaNに対する選択性が高いマスク材料が不可欠である。MgOはCl₂ベースのドライエッチング装置の構成要素として使用されているため、Cl₂ベースのエッチングプロセスにおいてGaNに対する高い選択性を示すことが期待される。本研究では、GaN Deepトレンチ作製のための高速エッチング条件下において、高選択性マスク材料としてのMgOの適合性を評価したので報告する。