[11a-PB1-1~31] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

詳細検索

セッション詳細

一般セッション(ポスター講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-PB1-1~31]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月11日(金) 9:00 〜 10:30

PB1 (第2体育館)

[11a-PB1-1]薄いAlGaN層をもつAlGaN/GaN ヘテロ構造における電気伝導特性の評価

〇森琢馬¹、岩波拓海¹、岡田浩¹ (1.豊橋技科大)

[11a-PB1-2]角度分解硬X線光電子分法を用いたNi/SiO₂/AlN/GaN構造におけるトラップ機構の解明

〇山口俊輔¹、上谷翔琉¹、清水真理子²、南川賢人²、清水達雄²、梶原瑛祐²、三谷祐一郎¹、野平博司¹ (1.東京都市大、2.(株) 東芝総合研究所)

[11a-PB1-3]MgドープInGaNを用いた光支援熱電子放出特性におけるMg濃度の影響

〇鈴木開晴¹、木村重哉²、宮崎久生²、荻野明久¹ (1.静大院工、2.(株) 東芝総合研究所)

[11a-PB1-4]ALD Al₂O₃/AlN界面の特性評価

〇魏一迪¹、廣木正伸²、平間一行²、谷保芳孝²、熊倉一英¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター、2.NTT物性研)

[11a-PB1-5]過渡シミュレーションによるGaN-MOS CV特性の再現

〇上野勝典¹、星野雄斗¹、田中亮¹、高島信也¹ (1.富士電機（株）)

[11a-PB1-6]Mgイオン注入を行ったHVPE GaNに対する2段階熱処理の効果についてのMOS構造を用いた分析

〇唐沢陽向¹、赤澤正道¹、金木奨太²、藤倉序章² (1.北大量集センター、2.住友化学)

[11a-PB1-7]ALD SiO₂/GaN界面の特性評価

〇陳驕陽¹、高橋尚伸¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

[11a-PB1-8]MOCVD堆積SiAlNをゲート絶縁膜とした高出力・高効率GaN系MIS-HEMT

〇美濃浦優一¹、山田敦史¹、多木俊裕¹ (1.富士通)

[11a-PB1-9]リセスゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの高性能化

〇滝本将也¹、角野翼¹、松浦努¹、吉嗣晃治¹、尾上和之¹、西田武弘¹ (1.三菱電機(株))

[11a-PB1-10]GaN-HEMTスイッチング回路におけるリンギングノイズ低減手法（Ⅱ）

〇井手利英¹、鍛冶良作¹、古屋克己¹ (1.産総研)

[11a-PB1-11]m面GaN基板上にMOCVD法を用いて作製した非極性
GaN/AlN 共鳴トンネルダイオード

〇今泉輝¹、神谷秋斗¹、間瀬晃¹、山口慶太郎¹、江川孝志¹、三好実人¹ (1.名工大)

[11a-PB1-12]MOCVD法による単結晶AlN基板上AlGaNマルチチャネルHFETの作製と特性評価

〇(M2)佐藤将太郎¹、神谷秋斗¹、山口慶太郎¹、江川孝志¹、三好実人¹ (1.名工大)

[11a-PB1-13]AlGaN中間層を導入したGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの不揮発メモリ特性の評価

〇永瀬成範¹、高橋言緒¹、清水三聡¹ (1.産総研)

[11a-PB1-14]リセス構造による N 極性面 GaN のコンタクト抵抗低減

〇谷口淳¹、山田敦史¹、美濃浦優一¹、杉野智大¹、田中敦之²、新井学²、須田淳²、本田善央²、多木俊裕¹、中村哲一¹、天野浩² (1.富士通、2.名大IMaSS)

[11a-PB1-15]低損傷界面形成反転型nチャネルGaN MOSFETの特性評価

〇赤羽陽斗¹、高橋尚伸¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

[11a-PB1-16]反応性スパッタにより成膜した高濃度Ge添加GaNのX線回折による評価

〇伊藤健治¹、冨田一義¹、加地轍¹ (1.名大IMaSS)

[11a-PB1-17]GaN Deepトレンチ形成のための高選択比MgOマスクの検討

太田博¹、西村智明¹、三島友義¹、大里啓孝²、小野村正明²、津谷大樹²、〇堀切文正¹ (1.法政大、2.物質・材料研究機構)

[11a-PB1-18]GaN-MOSFET（4端子型）の界面準位のチャージポンピング（CP）および実時間CP評価(1)

横山義希¹、加地徹²、耿若飛¹、安達慧悟¹、島袋聞多¹、須田淳²、〇梅田享英¹ (1.筑波大、2.名大)

[11a-PB1-19]GaN-MOSFET（4端子型）の界面準位のチャージポンピング（CP）および実時間CP評価(2)

横山義希¹、〇梅田享英¹、加地徹²、須田淳²、堀匡寛³、小野行徳³ (1.筑波大、2.名大、3.静大)

[11a-PB1-20]AlGaN/GaNヘテロ構造のCL-PECエッチングと自己停止現象

〇岡野陽樹¹、勝又十勝¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター)

[11a-PB1-21]CL-PECエッチングにより形成したMIS型リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性

〇勝又十勝¹、岡野陽樹¹、川田大心¹、谷田部然治¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター)

英語発表

[11a-PB1-22]Mechanism of Oxide/GaN Interface Oxidation in Mist-CVD at High Temperature

〇Thin Nu Soe¹, Ryosuke Hamasuna¹, Takumi Hirakura¹, Yusui Nakamura¹, Zenji Yatabe² (1.Kumamoto Univ., 2.Hokkaido Univ.)

[11a-PB1-23]第一原理計算に基づくGaプニクタイド・Gaカルコゲナイドのパワーデバイス性能解析

〇(M1C)武井裕希¹、野田祐輔^1,2 (1.九工大院情報工、2.九工大DS・AI研)

[11a-PB1-24]SiC MOSFETにおけるCharge Pumping法のGeometric Component発生機構と抑制条件

〇大井柊人¹、畠山哲夫¹、染谷満²、平井悠久²、岡本光央² (1.富山県立大、2.産総研)

[11a-PB1-25]熱処理後の降温プロセスがSiC/SiO₂界面固定電荷に及ぼす影響

〇三上杏太¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

[11a-PB1-26]SiC基板上のInP系共鳴トンネルダイオードの熱破壊特性評価

〇松田汐利¹、唐振凌¹、田中大基¹、鈴木左文¹ (1.東京科学大学)

[11a-PB1-27]NO窒化処理を施した4H-SiC MOS界面の伝導帯側界面準位の電流検出ESR観察

〇安達慧悟¹、島袋聞多¹、染谷満²、平井悠久²、渡部平治³、梅田享英¹ (1.筑波大、2.産総研、3.大阪大)

[11a-PB1-28]SiC MOSFETのゲート酸化膜劣化試験におけるVth測定時のコンディショニング時間の影響

〇草野公汰¹、高山創¹、小林和淑¹、新谷道広¹ (1.京工繊大)

[11a-PB1-29]近接場光エッチングによるSiCウェハ平坦化と表層状態変化の評価

〇吉松澪央¹、吉田恭平²、永岡昭二^2,3、高藤誠¹ (1.熊本大院先端、2.熊本県産技セ、3.熊本大熊創)

[11a-PB1-30]イオン注入ダイヤモンド基板におけるドーパントの化学状態解析

〇久保歩夢¹、松谷貴臣¹、松尾大輔²、渡辺穂香²、金野舜²、藤井茉美³ (1.近畿大院総理工、2.日新イオン機器株式会社、3.立命館大)