講演情報
[11a-PB1-20]AlGaN/GaNヘテロ構造のCL-PECエッチングと自己停止現象
〇岡野 陽樹1、勝又 十勝1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化物半導体、光電気化学エッチング
AlGaN/GaN HEMT のしきい値電圧制御に向け、TCAD を用いカソード電極が CL-PEC エッ
チングの自己停止機構に及ぼす影響を解析した。薄膜領域において、オーミックカソード
ではトンネル効果により正孔電流が増加した。一方、ショットキーカソードでは、電子蓄
積とフェルミ準位上昇に伴うバンド変調により正孔電流の増加が抑制された。以上より、
ショットキー障壁が自己停止現象に寄与することが示唆された。
チングの自己停止機構に及ぼす影響を解析した。薄膜領域において、オーミックカソード
ではトンネル効果により正孔電流が増加した。一方、ショットキーカソードでは、電子蓄
積とフェルミ準位上昇に伴うバンド変調により正孔電流の増加が抑制された。以上より、
ショットキー障壁が自己停止現象に寄与することが示唆された。