講演情報
[11a-PB1-26]SiC基板上のInP系共鳴トンネルダイオードの熱破壊特性評価
〇松田 汐利1、唐 振凌1、田中 大基1、鈴木 左文1 (1.東京科学大学)
キーワード：
テラヘルツ、InP、SiC
InP系の共鳴トンネルダイオードは，小型かつ室温動作可能なテラヘルツ光源として期待されている．大面積のダイオードを用いることで高出力化が可能だが，大電流による熱破壊が問題となるため，高出力化やデバイス寿命向上の実現には，発熱の低減が重要である．そこで本研究では，従来のInP基板に対して4倍以上の高い熱伝導率を有するSiC基板に着目し，メタルメタル接合によりSiC基板とInPエピ基板を貼り合わせ，その基板を用いて作製したRTDの熱破壊特性を評価した．