[11a-PB1-1~31] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-PB1-7] ALD SiO₂/GaN界面の特性評価

〇陳 驕陽¹、高橋 尚伸¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム