[11a-S2-1~11] 12.1 作製・構造制御

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[11a-S2-4] 核形成誘起層を用いたPTCDI-C8薄膜の液晶相からの結晶成長制御

〇(M1)北山 皓一朗¹、丸山 伸伍^1,2、岡 昂徹³、塩谷 暢貴⁴、神永 健一¹、長谷川 健³、松本 祐司¹ (1.東北大院工、2.静岡大工、3.京大化研、4.近畿大工)

キーワード：

薄膜、液晶、配向制御

当研究室では、液晶性有機半導体であるペリレンジイミド誘導体 (PTCDI-C8)の薄膜において、蒸着中に基板上で形成する液晶相からの結晶化を制御することで、数百μmまでのグレインサイズを制御できることを明らかにしてきた。本講演では、核形成誘起層を用いることで液晶状態の薄膜内で核形成位置を制御し、その核を起点とした一方向の結晶成長によって、より大型のグレインサイズを有する薄膜の作製を試みた結果を発表する。