講演情報
[11p-A21-3]β-Ga2O3のTMAHによる表面平滑化エッチングに伴うMOS界面特性の劣化とその抑制：エッチングの低温化とO3酸化の効果
〇今飯田 捷真1、田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
Ga2O3、TMAH、O3
β-Ga2O3に対するTMAHエッチングによる表面平滑化とMOS界面特性への影響を調査した。これまでに60 ℃でのTMAHエッチングはMOS特性を劣化させることが確認されていたため，本研究ではエッチング条件を再検討した。その結果，室温でのTMAHエッチングでは最も平滑な表面が得られ，MOS特性の劣化も抑制された。さらにO3処理と組み合わせることで，平滑表面と低Ditを両立できることを明らかにした。