セッション詳細
[11p-A21-1~12]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2026年9月11日(金) 14:00 〜 17:00
A21 (情報研究棟)
[11p-A21-1]NiO/α-Ga2O3 pnダイオードの電気的特性評価
〇栗山 響1、奥村 宏典1 (1.筑大数理)
[11p-A21-2]Siイオン注入したAlOx絶縁膜を有するGa2O3 MOSキャパシタ (2)
〇小路 啓太1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、田中 浩平2、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器)
[11p-A21-3]β-Ga2O3のTMAHによる表面平滑化エッチングに伴うMOS界面特性の劣化とその抑制：エッチングの低温化とO3酸化の効果
〇今飯田 捷真1、田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
[11p-A21-4]β 型酸化ガリウム半導体用Ti/Pt/Au オーミック電極
〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
[11p-A21-5]高耐熱電極を適用した自己整合ゲートβ-Ga2O3 MOSFET試作と電気的特性評価
〇吉浦 一慧1、寺村 祐輔1、森原 淳1、伊庭 義騎2、吉永 純也2,3、熊谷 義直2、堤 卓也1、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.日本酸素(株))
[11p-A21-6]Suppression of Leakage Current Through the Interface of MOVPE Grown Epitaxial Layer and Semi-Insulating beta-Ga2O3 (010) Substrate by Fe-Ion Implantation
〇(PC)Sandeep Kumar1, Yoshiki Iba2, Junya Yoshinaga2,3, Yoshinao Kumagai2, Masataka Higashiwaki4,1, Takafumi Kamimura1 (1.NICT, 2.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 3.Nippon Sanso Corporation, 4.Osaka Metropolitan Univ.)
[11p-A21-7]電極形成後熱処理がSiO2/β-Ga2O3 MOS界面特性に及ぼす影響
〇河井 蒼空1、原 征大1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
[11p-A21-8]酸素熱処理に起因するβ-Ga2O3中補償アクセプタ準位の光照射C–V測定による評価
〇森田 拓実1、原 征大1、山田 亮太1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
[11p-A21-9]ダイヤモンドFETの表面保護により安定化した3002時間DC連続動作
〇(M2)牟田 吉希1、サハ ニロイ チャンドラ1、江口 正徳2、嘉数 誠1,3 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)
[11p-A21-10]ダイヤモンド選択ドープFETの高周波小信号特性（fMAX= 54 GHz）
サハ ニロイ チャンドラ1、江口 正徳2、冨木 淳史3、〇嘉数 誠1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン光応用研究センター、3.JAXA宇宙科学研究所、4.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)
[11p-A21-11]ダイヤモンドFETのXバンド（10 GHz）の高周波大信号特性
サハ ニロイ チャンドラ1、江口 正徳2、冨木 淳史3、〇嘉数 誠1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン光応用研究センター、3.JAXA宇宙科学研究所、4.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)
[11p-A21-12]ダイヤモンド/シリコン表面活性化接合面の熱処理による化学構造変化
〇大野 裕1、吉田 秀人2、梁 剣波3、井上 耕治4、重川 直輝3 (1.東北大TCEM、2.阪大産研、3.阪公大院工、4.東北大金研)