[11p-E201-1~15] CS.6 6.1 強誘電体薄膜 、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[11p-E201-12] Hf_xZr_1-xO₂の強誘電分極反転に起因するSi FETにおける実効電子移動度劣化

〇松川 浩之¹、竹中 充¹、高木 信一^1,2、トープラサートポン カシディット¹ (1.東大院工、2.帝京大学)

キーワード：

強誘電体、HZO、移動度

Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)は強誘電性を用いたメモリデバイス応用、high-k材料としてのロジックデバイス応用、分極の非線形性を活用した人工知能計算への応用などのために広く注目を集めている。強誘電性HZOを用いた強誘電トランジスタ(FeFET)では、分極反転を伴う書き込みを行うと、界面準位やキャリア移動度が初期状態と比べて大幅に劣化する現象が報告されている。この現象は強誘電分極が誘起する巨大なトラップ電荷とトラップ準位生成による影響だと考えられているが、劣化の振る舞いに対する体系的な理解はなされていない。また、反強誘電性も混合した際のHZOでの移動度劣化現象を調査した報告はない。本研究では、Hf-Zr比率を変化させたHZOを絶縁膜に持つN型Si MOSFETにおいて、分極反転と移動度劣化の関係を観察した。