2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.6】6.1 強誘電体薄膜 、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[11p-E201-1~15]CS.6 6.1 強誘電体薄膜 、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

2026年9月11日(金) 13:00 〜 17:00
E201 (総合教育棟 E棟)
13:00 〜 13:15

[11p-E201-1]デジタル処理DCスパッタによる(HfO2)(ZrO2)薄膜の非加熱合成

〇一色 秀夫1、藤谷 愉史1、日野 逸己1、桂 雄大1、宇田川 浩太1、塚本 貴広1 (1.電通大院基盤理工)
13:15 〜 13:30

[11p-E201-2]DPDS法における排気時間制御がY添加HfO2薄膜のOrthorhombic相安定化に与える影響

〇宇田川 浩太1、塚本 貴広1、一色 秀夫1 (1.電通大情理)
13:30 〜 13:45

[11p-E201-3]スパッタリング法によるZrO2基強誘電体厚膜の作製と特性評価

〇小笠原 颯1、土屋 裕太郎1、今村 隼士1、岡本 一輝1、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
13:45 〜 14:00

[11p-E201-4]ITOラミネート電極を用いたHf0.5Zr0.5O2キャパシタの強誘電特性の改善

〇山田 浩之1、長井 拓郎2、宇佐美 潤1、豊崎 喜精1、澤 彰仁1 (1.産総研、2.NIMS)
14:00 〜 14:15

[11p-E201-5]Spacer のないHfO2系強誘電体Y0.06Nb0.06Hf0.88O2の強誘電特性

〇浅沼 周太郎1、右田 真司1、太田 裕之1、森田 行則1、畑山 祥吾1 (1.産総研　SFRC)
14:15 〜 14:30

[11p-E201-6]HfO2基材料における電界印加による酸素移動の検討

〇吉田 聖陽1,2、清水 荘雄2、高木 優香1、坂口 勲2 (1.東京理大創域理工、2.物質・材料研究機構)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[11p-E201-7]機械学習ポテンシャルによる正方晶HfO2から強誘電性直方晶相への
電界誘起相転移条件の探索

〇(M1)野村 拓樹1、西村 祐亮1、大場 淳平1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[11p-E201-8]微小空間ALDによるHfO2 /β-Ga2O3の作製と界面特性評価

〇阿多 翔大1、古川 勝裕1、吉村 武1,2、藤村 紀文1 (1.阪公大院工、2.豊橋技科大)
15:15 〜 15:30

[11p-E201-9]CSD法によるCe:HfO2強誘電体/酸化物半導体積層構造を用いた可変容量素子

〇宮迫 毅明1、細倉 匡1、徳光 永輔2 (1.株式会社村田製作所、2.北陸先端科学技術大学院大学)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[11p-E201-10]遠赤外領域の赤外分光法を用いたHfxZr1-xO2薄膜の斜方晶相の選択的検出

〇高久 理名1、田村 敦史1、女屋 崇2、喜多 浩之1 (1.東大院新領域、2.物質・材料研究機構)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー英語発表

[11p-E201-11]Revealing the Origin of Fatigue in HfO2-Based Ferroelectric Films: The Critical Role of Imprint

〇(DC)Zhenhong Liu1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1,2, Kasidit Toprasertpong1 (1.Univ. Tokyo, 2.Teikyo Univ.)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[11p-E201-12]HfxZr1-xO2の強誘電分極反転に起因するSi FETにおける実効電子移動度劣化

〇松川 浩之1、竹中 充1、高木 信一1,2、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工、2.帝京大学)
16:15 〜 16:30

[11p-E201-13]界面に常誘電層を有する強誘電性薄膜HfO2キャパシタにおける内部電界分布

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
16:30 〜 16:45

[11p-E201-14]HfO2系強誘電体デバイスの電界誘起界面反応に起因したエンデュランス劣化現象の抑制に寄与する重要因子に関する考察

〇女屋 崇1、生田目 俊秀1、長田 貴弘1、塚越 一仁1 (1.物材機構)
16:45 〜 17:00

[11p-E201-15]強誘電性ノンドープHfO2 MFMキャパシタにおける異常PVの発生とその解消

〇森田 行則1、浅沼 周太郎1、太田 裕之1、右田 真司1 (1.産総研)
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