講演情報
[11p-E201-4]ITOラミネート電極を用いたHf0.5Zr0.5O2キャパシタの強誘電特性の改善
〇山田 浩之1、長井 拓郎2、宇佐美 潤1、豊崎 喜精1、澤 彰仁1 (1.産総研、2.NIMS)
キーワード：
強誘電体、HZO、ITO
HfO2系強誘電体はSi半導体プロセスとの親和性の良さから、注目されている。しかしながらwake-up効果など、HfO2系強誘電体特有の信頼性に関わる問題があり、実用化の障壁となっている。wake-up効果の抑制手法の一つとして、エピタキシャル酸化物電極の活用がある。本研究では、多結晶Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)キャパシタの強誘電特性の改善に向け、一般的な酸化物電極材料である酸化インジウム錫 (ITO)を基にしたラミネート電極を用いてHZOキャパシタを作製した。本講演では、強誘電特性を、HZOの結晶性およびITOの結晶構造との相関関係という観点から紹介する。