[11p-E201-1~15] CS.6 6.1 強誘電体薄膜 、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

14:00 〜 14:15

[11p-E201-5] Spacer のないHfO₂系強誘電体Y_0.06Nb_0.06Hf_0.88O₂の強誘電特性

〇浅沼 周太郎¹、右田 真司¹、太田 裕之¹、森田 行則¹、畑山 祥吾¹ (1.産総研　SFRC)

キーワード：

強誘電体、HfO2、共添加