[11p-E206-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

13:30 〜 13:45

[11p-E206-1] 固相成長法によるRu2Ge3多結晶薄膜の作製

〇日高 友葵¹、寺井 慶和¹ (1.九工大)

キーワード：

半導体