セッション詳細

[11p-E206-1~12]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2026年9月11日(金) 13:30 〜 16:45
E206 (総合教育棟 E棟)

[11p-E206-1]固相成長法によるRu2Ge3多結晶薄膜の作製

〇日高 友葵1、寺井 慶和1 (1.九工大)

[11p-E206-2]Sn添加β-FeSi2 薄膜の作製と構造評価

〇出森 麗央1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

[11p-E206-3]膜厚100 nm以下のⅠⅠ型Geクラスレート薄膜の作製と近紫外光吸収特性

〇岩橋 佑真1、久米 徹二1,2,3、大橋 史隆1,2,3、ジャ ヒマンシュ1,2、クマール ラフル3、伊藤 栄斗1 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工、3.岐阜高専)

[11p-E206-4]Siクラスレート膜の合成におけるNa蒸気とSi基板の化学反応の安定化

〇金子 奨平1、伊豆原 宰1、ジャ ヒマンシュ1,2、大橋 史隆1,2、久米 徹二1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工)

[11p-E206-5]近接蒸着法による傾斜Si基板上へのBaSi2成膜における成膜温度の影響

〇類家 哉子1、河西 秀典1、浦岡 行治1、原 康祐1 (1.奈良先端大)

[11p-E206-6]スパッタ法によるAl2O3(0001)基板上へのBaSi₂薄膜の形成とBa/Si組成比制御

〇平井 瑞紀1、Islam Md. Ariful1、竹嶋 暉2、幸田 陽一朗2、召田 雅美2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

[11p-E206-7]BaSi2 PIN型太陽電池に向けたETL/電極材料の検討

〇石黒 雄路1、Castillo Giron Manuel Enrique1、竹嶋 暉2、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

[11p-E206-8]BaSi₂太陽電池用a-SiC電子輸送層の熱処理による特性変化

〇大坪 聖也1、石黒 雄路1、平井 瑞紀1、Md. Ariful Islam1、竹嶋 暉2、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

[11p-E206-9]Examining photoresponsivity of BaSi2 films formed on 4H-SiC(0001) via sputtering

〇Manuel Enrique Castillo1, Mizuki Hirai1, Yuji Ishiguro1, Md. Ariful Islam1, Hikaru Takeshima2, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tosoh Corp.)

[11p-E206-10]Evaluation of BaS Thin Films as a Hole Transport Layer for BaSi2 Solar Cells through Experimental and First-Principles Studies

〇(D)Ammara Firdous1, Koki Hayashi1, Nurfauzi Abdillah1, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1, Hikaru Takashima2 (1.Univ. Tsukuba, 2.Tosoh Corp.)

[11p-E206-11]Finding a Way to Expose a Clean BaSi2 Surface for Efficient BaSi2 Solar Cell

〇Md Ariful Islam1, Mizuki Hirai1, Hikaru Takeshima2, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tosoh Corp.)

[11p-E206-12]A Unified High-κ Dielectric Screening Pipeline Based on a Machine Learning Hamiltonian

〇(B)Doyun Kim1,2, Dongik Park2, Juhan Hong1,3, Jaewon Bae2, Chanyoung Park2,3 (1.Seoul Natl. Univ., 2.NanoForge AI, 3.KAIST)